




igbt在 零电压条件下关断,同样也能减小关断损耗,但是mosfet在零电流条件下开通时,并不能减小容性开通损耗。谐振转换器(resonant converter ,rc)、准谐振转换器(quasi-resonant converter,开关电源供应商,qrc)、多谐振转换器(multi-resonant converter,mrc)、零电压开关pwm转换器(zvs pwm converter)、零电流开关pwm转换器(zcs pwm converter)。

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它关断时,在外电压的作用下,开关电源报价, 其寄生电容充满电,如果在其开通前不将这一部分电荷放掉,则将消耗于器件内部,这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗,功率场 效应管宜采用零电压开通方式(zvs)。绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar tansistor,igbt)是一种复合开关器件,关断时的电流拖 尾会导致较大的关断损耗,如果在关断前使流过它的电流降到零,则可以显着地降低开关损耗,因此igbt宜采用零电流(zcs)关断方式。

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